Durante una recente presentazione al Flash Memory Summit 2023, SK Hynix ha presentato una novità nel campo della memoria NAND: la memoria NAND TLC a 321 strati. Questo avanzamento tecnologico sta gettando le basi per il futuro dell’archiviazione dati. È importante sottolineare che, anche se la produzione su larga scala è prevista solo per il 2025, l’azienda ha voluto dimostrare di essere già al lavoro sulla tecnologia di domani.
La memoria NAND TLC a 321 strati ha una capacità di 1 terabit, equivalente a 128 gigabyte, e utilizza un’architettura tridimensionale TLC. Ciò che sorprende di questa nuova tecnologia è il miglioramento del 59% rispetto ai dispositivi TLC 3D da 238 strati e 512 gigabit. Questo si traduce in un notevole aumento nella densità di archiviazione. Tuttavia, al momento SK Hynix non ha fornito dettagli sul processo di produzione o sui costi di questa nuova tecnologia.
Se il dispositivo NAND a 321 strati può immagazzinare 128 gigabyte di dati, è ragionevole aspettarsi che i dispositivi di fascia alta saranno in grado di supportare capacità ancora maggiori. Questo apre la strada a SSD con capacità nettamente superiori rispetto a quelle disponibili attualmente.
Il segreto dietro i 321 strati della memoria NAND non è stato rivelato da SK Hynix. Tuttavia, è probabile che l’azienda abbia utilizzato una tecnica di impilamento a stringhe sovrapponendo uno o più dispositivi NAND 3D e collegandoli tra loro. Resta ancora da vedere quanti di questi dispositivi sono stati effettivamente sovrapposti.
Per quanto riguarda le specifiche dell’interfaccia supportata da questa memoria NAND a 321 strati, SK Hynix ha preferito non condividere i dettagli al momento. Questo potrebbe essere dovuto al fatto che la produzione in massa è prevista solo per la prima metà del 2025, quindi è ancora presto per definire questi dettagli tecnici.
Durante la presentazione, Jungdal Choi, responsabile dello sviluppo NAND presso SK Hynix, ha sottolineato l’importanza di questo passo avanti nell’era delle NAND con oltre 300 strati. L’azienda si pone come leader del mercato e si impegna a rispondere alle esigenze dell’era dell’IA e a continuare a guidare l’innovazione tecnologica.
SK Hynix progetta SSD enormi grazie alle nuove NAND a 321 strati
SK Hynix ha presentato la sua nuova memoria NAND TLC a 321 strati durante il Flash Memory Summit 2023. Questa memoria ha una capacità di 1 terabit e un’architettura tridimensionale TLC. Offre un incremento del 59% rispetto ai dispositivi TLC 3D precedenti, aumentando la densità di archiviazione. Non sono stati forniti dettagli sul processo di produzione o sui costi. Si prevede che i dispositivi di fascia alta potranno supportare capacità ancora maggiori. SK Hynix si posiziona come leader del mercato introducendo la tecnologia delle NAND con oltre 300 strati.
