Secondo un articolo del DigiTimes, Samsung Electronics starebbe valutando l’impiego di un’architettura a doppio stack per la sua memoria 3D-NAND di 9a generazione, che inizierà la produzione il prossimo anno. Questa rappresenterebbe una differenza rispetto a SK Hynix, il quale ha annunciato l’utilizzo di tre stack di NAND per i suoi dispositivi 3D-NAND a 321 strati, che entreranno in produzione di massa nella prima metà del 2025.
La 9a generazione di V-NAND di Samsung, con oltre 300 strati, si baserà sulla tecnica del double-stack, già adottata nel 2020 per i chip 3D NAND di 7a generazione a 176 strati. Tale metodo prevede la produzione di un primo stack 3D NAND su un wafer da 300 mm, seguito dalla costruzione di un secondo stack sovrapposto al primo. L’impiego di questa tecnologia da parte di Samsung consentirà un aumento della densità di archiviazione su un wafer, favorendo la realizzazione di SSD più economici rispetto a quelli attualmente disponibili.
Al contrario, la rivale SK Hynix ha annunciato l’intenzione di avviare la produzione della sua NAND 3D a 321 strati nel 2025 utilizzando un approccio a triplo stack. Questo processo, diverso da quello adottato da Samsung, comporterà la creazione di tre serie distinte di strati 3D NAND, aumentando così il numero di passaggi e l’utilizzo di materie prime, ma avendo come obiettivo la massimizzazione dei rendimenti.
Secondo alcune speculazioni, dopo la 9a generazione di NAND 3D, Samsung potrebbe adottare una metodologia a tripla pila per la sua NAND 3D di 10a generazione, con 430 strati. Alcuni esperti ritengono che superare i 400 strati di 3D NAND richiederà l’utilizzo di tre stack separati, probabilmente per motivi di rendimento. Tuttavia, ciò comporterà naturalmente un aumento dell’utilizzo di materie prime e dei costi per i wafer 3D NAND.
La visione a lungo termine di Samsung, presentata durante il Samsung Tech Day 2022 lo scorso ottobre, ha come obiettivo raggiungere i 1.000 strati entro il 2030.
Samsung pronta a produrre V-NAND a 300 strati
Samsung Electronics si prepara a utilizzare un’architettura a doppio stack per la sua memoria 3D-NAND di 9a generazione, mentre SK Hynix utilizzerà tre stack di NAND per la sua 3D-NAND a 321 strati. La 9a generazione di V-NAND di Samsung avrà oltre 300 strati e consentirà di aumentare la densità di archiviazione e realizzare SSD più economici. SK Hynix, invece, punta a una produzione di massa della sua 3D-NAND a 321 strati nel 2025. Dopo la 9a generazione, Samsung potrebbe adottare un approccio a tripla pila per la sua 3D-NAND a 430 strati. La visione a lungo termine di Samsung prevede di raggiungere i 1.000 strati entro il 2030.
